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硅基光芯片
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硅基光芯片
四川梓冠光電硅基光芯片廠家生產的硅基光芯片包括SOI芯片光延時線、SOI芯片偏振控制器-開關陣列、SOI高速光開關1x8、SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列、SOI高速多通道光衰減器、SOI高速光開關陣列等，可咨詢獲取可咨詢獲取SOI光芯片價格。
SOI高速光開關1x8
2025-03-04
SOI高速光開關1x8波長1530-1565nm、插損≤8db、開關速度<200ns
產品描述
SOI高速光開關1x8具有多通道、高集成度芯片化、高速響應、高串擾的特點，主要應用于光纖傳感、光纖通信、光網絡監控與保護、激光器雷達等領域
SOI高速光開關陣列
2023-09-08
SOI高速光開關陣列
產品描述
SOI高速光開關陣列具有多通道，高集成度芯片化，高速響應的特性，主要應用于光纖傳感，光纖通信，光網絡監控與保護等領域
SOI高速多通道光衰減器
2023-09-08
SOI高速多通道光衰減器波長范圍1530-1570nm或1270-1330nm
產品描述
SOI芯片式多通道可調光衰減器具有多通道，高集成度芯片化，高速響應的特性，主要應用于光纖傳感，光纖通信，光網絡監控與保護等領域
SOI芯片光延時線
2025-03-04
SOI芯片光延時線波長范圍?1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
產品描述
SOI芯片光延時線具有多通道、高集成度芯片化、高速響應等特點，主要應用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達等領域
SOI芯片偏振控制器-開關陣列
2025-03-04
SOI芯片偏振控制器-開關陣列波長范圍1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
產品描述
SOI芯片偏振控制器-開關陣列具有多通道、高度集成度芯片化、高速響應等特點，主要應用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達等領域
SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列
2023-09-08
SOI芯片光電探測器陣列波長范圍：1530-1570nm或1270-1330nm
產品描述
SOI芯片式光電探測器陣列具有多通道，高集成度芯片化，大模擬帶寬等特性，主要應用于光纖傳感，光纖通信，激光雷達等領域
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